报告人：龙世兵 教授
报告人单位：中国科学技术大学微电子学院
报告时间：2023年12月11日9:00-10:00
报告地点：杨咏曼楼二楼东双创实验室4
报告人简介：
龙世兵，中国科学技术大学教授，国家杰出青年科学基金获得者，IEEE高级会员。从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件（功率器件及探测器件）、存储器电路设计等领域的研究。在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引6000余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯，7项专利作价入股于合肥中科微电子创新中心公司。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。
报告摘要：
超宽禁带氧化镓具有高临界击穿场强、高功率品质因子，可通过速度快、成本低的熔融法单晶生长获得，在信息、能源和国防领域具有应用优势。以取长补短、因材施艺为研究思路，充分挖掘氧化镓材料潜力，1、开展了氧化镓表/界面微纳加工工艺研究，表面刻蚀、表面保护、界面退火和电偶极子层等工艺方案，解决了氧化镓界面缺陷高以及无终端结构器件性能差的问题；2、高效终端方案设计与研制，开发了热氧高阻终端、结终端拓展、断面终端以及复合终端结构，攻克了氧化镍载流子可控生长、选区热氧工艺、低损伤刻蚀工艺，有效抑制了边缘峰值电场，研制了大电流和高反向阻断能力的氧化镓功率二极管器件；3、新晶体管结构设计与研制，首创了氧化镓准反型沟槽晶体管（UMOSFET），采用热氧退火和N离子注入两套方案，突破Si的极限。以上研究成果为氧化镓垂直功率器件的电荷和电场调控提供了参考。
